LP3798ESM全压过认证低成本24W小体积方案（典型电路及内部框架图）

在现代电子设备不断追求更高效、更紧凑、更低成本电源解决方案的今天，LP3798ESM芯片以其卓越的性能和高度集成化的设计，成为了市场上的一颗璀璨新星。这款芯片不仅满足了24W小体积电源方案的需求，还通过了全面的安全认证，为设计工程师提供了一个理想的选择。本文将深入探讨LP3798ESM芯片的特性和优势，以及它如何帮助实现全压过认证的低成本解决方案。

典型应用电路（24W Demo）

BOM 亮点

• 无外部高压 MOSFET：内置 750V/1.0Ω SiC

• 无光耦/TL431：原边稳压（PSR）

• 无肖特基：副边同步整流 LP15R060S（可选）

• 单层板 59×46mm，插件仅 7 颗

内部框架图解读

1. 750V SiC Power MOSFET
   直接省掉外部高压开关，Rdson 1.0Ω，温升低，雷击 4kV 仍有余量。

2. Peak-Current Mode Controller
   内置 0.25-0.95V 斜坡补偿，CCM/DCM 自动切换，占空比>50% 无次谐波振荡。

3. 三阶段 PFM

• 重载：100kHz 定频 + 峰值电流跟踪

• 中载：65→24kHz 降频，音频能量分散

• 空载：125Hz 跳周期，待机 40mW

4. 抖频 EMI 引擎
   128μs 大周期，±3% 频率摆动，传导峰值降低 5dB，无需共模电感即可过 Class B。

5. 全功能保护库
   OVP/UVP/OCP/OTP/FB 开短路/CS 开短路/TONMAX，全部自恢复，提高产线良率。

关键设计公式与选型

1. 输出电压设定
   Vo = (VFB_REG + Icable·RFBH) · (NS/NA) + VD
   VFB_REG=2.5V，Icable=36µA（内置线补），RFBH/RFBL 按匝比选取即可。

2. 恒流点设定
   IOCP = VREFCCP · NP /(NS·RCS)
   VREFCCP=0.255V，NP:NS=210:14，RCS=0.25Ω → IOCP≈2.1A

3. 变压器规格

• 磁芯：EE1705，Ae=42mm²，PC95

• 漏感 <25µH，降低 Vds 尖峰

• Bmax=0.29T@90V/2A，远离饱和

4. 输入/输出电容
   Cin：2×22µF/400V + 1µF/50V 陶瓷；Cout：2×1000µF/16V LOW-ESR，纹波 92mV

性能速览（基于 12V2A 测试报告）

PCB 与布线要点

1. 功率环路（母线电容→变压器→内置D）面积 <30mm²，走线宽短。

2. CS 采样电阻 Kelvin 到 GND，远离高压节点；RCS=0.25Ω/1W，紧贴 4 脚。

3. VCC 旁路 1µF+100nF 紧靠 2 脚，过孔到内层地。

4. FB 分压电阻靠近 3 脚，节点面积 <2mm×2mm，防止注入噪声。

5. 散热：ASOP-6 底部焊盘打 9 孔 0.3mm 到内层铜，温升再降 8℃。

总结

LP3798ESM 用一颗 ASOP-6 芯片把 750V SiC、原边 CV/CC 控制器、全套保护、抖频 EMI 全部集成，提供 24W 级别「全压输入、过认证、低成本、小体积」四大价值：

• BOM 从 38 颗砍到 33 颗，成本立降 20%

• 峰值效率 90.7%，空载 <60mW，轻松满足全球能效

• 单层板+抖频技术，传导余量 >6dB，无需共模电感

• 雷击 4kV、静电 15kV、45℃ 壳内满载不死机，可靠性一步到位

LP3798ESM芯片以其全压过认证、低成本和小体积的特性，为24W电源方案提供了一个全面而高效的解决方案。随着技术的不断进步和市场对电源解决方案要求的日益增长，LP3798ESM无疑将成为未来电源设计中的一个关键角色，推动更多创新电子产品的诞生。深圳三佛科技提供完整资料技术支持，批量价格有优势~